مشخصات فنی حافظه SSD اینترنال 500 گیگابایت Gigabyte مدل Gen3 2500E NVMe M.2 حافظه SSD اینترنال 1 ترابایت Samsung مدل 870 EVO
سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات تا 1500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سایر امکانات پشتیبانی از NVMe1.3 دمای عملیاتی (Operating Temperature): 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای ذخیره سازی (Operating Temperature): -40 تا 85 درجه سانتی گراد -
سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات تا 2300 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات Up to 240K IOPS (4KB, QD32):Up to 88,000 IOPS (4KB, QD1):Up to 36,000 IOPS
سرعت خواندن تصادفی اطلاعات Up to 60K IOPS (4KB, QD32):Up to 98,000 IOPS (4KB, QD1):Up to 13,000 IOPS
نوع کنترل کننده (Controller) Phison’s controller Samsung MKX Controller
عمر مفید بر حسب میزان رایت (TBW) 120 ترابایت 600 ترابایت
میانگین طول عمر (MTBF) 1500000 ساعت 1500000 ساعت
فرم فاکتور M.2 2280 2.5 اینچ
رابط دستگاه PCI-E Gen3 x4 SATA 3.0(6Gb/s)
ظرفیت 500 گیگابایت 1 ترابایت
نوع - SSD اینترنال
حافظه نهان - 1 گیگابایت
نوع حافظه NAND - V-NAND 3bit MLC
امکانات حافظه SSD اینترنال 500 گیگابایت Gigabyte مدل Gen3 2500E NVMe M.2 حافظه SSD اینترنال 1 ترابایت Samsung مدل 870 EVO
مقاوم در برابر شوک -
قابلیت رمزنگاری داده ها -
قابلیت پشتیبانی از TRIM
پشتیبانی از S.M.A.R.T
توضیحات Over-Provision پشتیبانی از تکنولوژی GC (Garbage Collection) پشتیبانی از WWN پشتیبانی از حالت Device Sleep
مشخصات فیزیکی حافظه SSD اینترنال 500 گیگابایت Gigabyte مدل Gen3 2500E NVMe M.2 حافظه SSD اینترنال 1 ترابایت Samsung مدل 870 EVO
طول 80.00 میلیمتر 100.00 میلیمتر
عرض 22.00 میلیمتر 69.85 میلیمتر
ضخامت 2.30 میلیمتر 6.80 میلیمتر
مشاهده و خرید مشاهده و خرید